1. <table id="iyn67"><strike id="iyn67"></strike></table>
    <acronym id="iyn67"></acronym>
  2. <pre id="iyn67"><strong id="iyn67"></strong></pre>
    1. <table id="iyn67"></table>

        Transphorm發布采用Microchip數字信號控制器的3千瓦逆變器板,繼續保持在高功率氮化鎵領域的**地位

        BusinessWire美國商業資訊 (businesswire.skxox.com)

        評估板采用SuperGaN? FET和dsPIC? DSC模塊,可簡化并加速高壓電源系統的開發

        加州戈利塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布,使用來自Microchip Technology的數字信號控制器的第三款高功率氮化鎵設計工具開始出貨。TDINV3000W050B-KIT是一款3.0千瓦直流轉交流非隔離全橋逆變器評估板。這款產品是Transphorm的TP65H050G4WS SuperGaN® FET與Microchip的dsPIC33CK數字信號控制器(DSC)板的強強聯手之作,其中包含了預編程固件,可以方便地根據終端應用需求進行定制。新評估板的采用可突顯Transphorm氮化鎵產品的卓越性能,并使人們了解氮化鎵如何用于廣泛的工業和可再生能源電力系統。

        與之前的兩款SuperGaN/Microchip DSC評估板(4千瓦TDTTP4000W066C-KIT和2.5千瓦TDTTP2500B066B-KIT)一樣,這款單相3.0千瓦逆變器板也可以享受由Microchip全球技術支持團隊提供的固件開發協助。

        Microchip旗下MCU16事業部副總裁Joe Thomsen表示:“我們的dsPIC®數字信號控制器和固件定制專長與Transphorm的氮化鎵技術相輔相成,能在簡化設計的同時幫助加速開發進程。我們很自豪能與Transphorm合作,打造靈活、高效的電源轉換產品,助力廣泛的可持續發展應用。”

        Transphorm業務發展和營銷高級副總裁Philip Zuk表示:“電動汽車充電器、UPS和太陽能逆變器等高壓電源系統正迅速成為氮化鎵應用的快速增長市場。Transphorm的氮化鎵平臺便針對此類應用開發。與Microchip在固件方面的合作使我們能夠以高效的方式為各種重要的、可持續的客戶電力系統項目提供支持。新產品能消除固件編程可能遇到的潛在限制,簡化開發工作,并加快產品上市時間。雙方的合作能夠幫助可再生能源和其他行業輕松利用我們的氮化鎵產品所具有的全部優勢。”

        技術規格

        TDINV3000W050B-KIT的技術特點:

        TP65H050G4WS:650 V 50 mΩ SuperGaN FET,TO-247封裝

        功率效率:~99%

        輸入電壓:0 VDC至400 VDC

        輸出電壓:VDC / √2VRMS,50/60Hz(可編程)

        輸出功率:高達3000W

        輔助電源電壓:12 VCC

        這款評估板圍繞Microchip的dsPIC33CK數字電源插入式模塊(PIM)而設計,用于控制PFC動力系統,具有以下預編程PIM功能:

        Microchip獲得AEC-Q100認證的dsPIC33CK256MP506數字信號控制器

        100 MHz dsPIC® DSC內核,集成DSP和增強型片上外設

        雙閃存面板 – 在電源運行時,可實時更新代碼

        高模擬集成,從而降低BOM成本,實現*小的系統尺寸

        8個*立PWM,250 ps分辨率

        未來可以從Microchip網站上下載dsPIC33CK PIM的固件更新。

        Microchip的dsPIC® DSC由一套嵌入式設計工具提供支持,這些設計工具旨在增強開發人員(即便專業知識有限)的能力。這些工具可在Microchip免費的MPLAB® X集成開發環境中為器件初始化提供直觀的圖形用戶界面。同時,還有一整套編程器、調試器和仿真器附件為這些軟件工具提供補充。

        銷售和市場應用

        TDINV3000W050B-KIT通過得捷電子和貿澤電子發售。

        這款評估板設計用于開發車輛到電網(V2G)充電系統、太陽能或光伏(PV)逆變器、不間斷電源(UPS)以及其他高壓電源應用。

        關于Transphorm

        Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者,致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有*龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一,持有或取得授權的專利超過1,000多項,在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式,公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新:設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新使電力電子設備突破硅的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。如需了解更多信息,請訪問www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。

        SuperGaN標識是Transphorm, Inc.的注冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。

        原文版本可在businesswire.com上查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20230320005262/en/

        免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便了解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

        聯系方式:

        Heather Ailara
        +1.973.567.6040
        heather.ailara@transphormusa.com

        文章來源:http://www.businesswirechina.com/zh/news/53244.html

        国产在线第一区二区_国产日韩欧美亚洲精品中字_国产精品尹人在线观看_精品综合久久久久久888